最先端の積層型三次元IC（3D-IC）デバイス集積化技術を使い、今後のIT需要の拡大に呼応して、お客様の従来のICチップに高性能・高機能・小型化・省電力化といった新しい機能を付加します。微細TSV（貫通配線）、マイクロバンプ接合、LSIチップ/ウェハの張り合わせ、再配線形成等の新技術を開発し、新規の積層型センサ・検出器の開発と並行してお客様に以下のサービスを提供致します。

1. 数㎜角のチップから12インチウェハレベルの加工が可能で、お客様の3D-ICやMEMSのプロトタイプ試作、部分試作サポート、材料・装置評価用サンプル試作、少量生産をサポートします。

2. 半導体微細加工技術及びMEMS製造技術をベースにバイオエレクトロニックデバイスの試作をサポートします。

お客様の色々なご要求に応えられる様に、各種サイズのTSV形成、バンプ形成、チップから12インチウェハまでの接合といった要素技術を開発し、集積化できるベースを用意しています。特に、他社ではできない異なるサイズ、異なる厚さ、異なる材料の半導体・MEMSチップを高速で積層するスーパーチップ製造技術を開発しました。

また、マイクロバンプでは、通常使われているSnAgバンプのほか、世界最小ピッチの微細金円錐/円筒バンプを開発しました。これは変形しやすく200℃以下の温度で接合でき、酸化されにくいため安定な接続が得られます。このバンプ接続技術はイメージセンサの画素の微細化、化合物半導体と読み出しLSIを積層するX線センサ、X線フラットパネルディテクタの高性能化に有効です。